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IXTY08N100D2 N Canal MOSFET IC 1000 V 800mA Tc 60W Tc Montaje de superficie TO-252AA

Name: IXTY08N100D2 N Canal MOSFET IC 1000 V 800mA Tc 60W Tc Montaje de superficie TO-252AA
Brand: Shenzhen Swift Automation Technology Co., Ltd.
SKU: IXTY08N100D2
Price: 8,250.00 USD
Availability: InStock

Nombre De La Marca:	Original
Número De Modelo:	IXTY08N100D2
Cuota De Producción:	1
Precio:	negotiable
Tiempo De Entrega:	3-4 días
Condiciones De Pago:	TT

Información detallada

Descripción del producto

Información detallada

Lugar de origen:

El original

Certificación:

Original

Tipo de FET:

N-canal

Voltagem de salida a la fuente (Vdss):

Las demás:

Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:

Se aplicarán los siguientes requisitos:

Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:

Las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles se calcularán de acuerdo con el método de cálculo d

Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:

14.6 nC @ 5 V

Vgs (máximo):

± 20 V

Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds:

325 pF @ 25 V

Característica del FET:

Modo de agotamiento

Detalles de empaquetado:

caja de cartón

Capacidad de la fuente:

100

Resaltar:

IXTY08N100D2

El IC MOSFET de canal N del IXTY08N100D2

El sistema de circuito integrado MOSFET de canal N TO-252AA

Descripción del producto

El chip de IC CSR8670C-IBBH-R RF TxRx + MCU Bluetooth Bluetooth v4.0 2.4GHz 112-VFBGA también se utiliza para el procesamiento de datos.

IXTY08N100D2 son deInventario de fábrica, por favor compruebe sus demandas y por favor contáctenos con el precio objetivo.

Especificaciones de Se aplicará el procedimiento siguiente:

El tipo	Descripción
Categoría	Productos discretos de semiconductores
	Transistores
	FET, MOSFET
	FET y MOSFET individuales
El Sr.	IXYS
Serie	Agotamiento
Paquete	El tubo
Estado del producto	Actividad
Tipo de FET	N-canal
Tecnología	MOSFET (óxido metálico)
Voltagem de desagüe a la fuente (Vdss)	Las demás:
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C	Se aplicarán los siguientes requisitos:
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido)	-
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs	Las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles se calcularán de acuerdo con el método de cálculo de las emisiones.
Vgs(th) (máximo) @ Id	-
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs	14.6 nC @ 5 V
Vgs (máximo)	± 20 V
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds	325 pF @ 25 V
Característica del FET	Modo de agotamiento
Disposición de energía (máximo)	60 W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje	Montura de la superficie
Paquete de dispositivos del proveedor	TO-252AA
Envase / estuche	TO-252-3, DPAK (2 Pistas + Tab), SC-63
Número del producto de base	Se trata de la serie IXTY08.

Características delSe aplicará el procedimiento siguiente:

• Modo activado normalmente
• las condiciones de trabajoPaquetes estándar internacionales
• Las epoxias de moldeo cumplen con el criterio UL94V-0Clasificación de la inflamabilidad

Las aplicaciones deSe aplicará el procedimiento siguiente:

• Amplificadores de audio
• Circuitos de arranque
• Circuitos de protección
• Generadores de rampa
• Los reguladores actuales
• Cargas activas

Ventajas adicionales deSe aplicará el procedimiento siguiente:

• Fácil de montar
• Ahorro de espacio
• Alta densidad de energía

Clasificaciones medioambientales y de exportación deSe aplicará el procedimiento siguiente:

Atributo	Descripción
Estado de la RoHS	Conforme con la Directiva ROHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (sin límite)
Estatus de REACH	REACH No afectado
El número de personas	El EAR99
HTSUS	8541.29.0095

IXTY08N100D2 N Canal MOSFET IC 1000 V 800mA Tc 60W Tc Montaje de superficie TO-252AA 0

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Microprocesador del circuito integrado

IXTY08N100D2 N Canal MOSFET IC 1000 V 800mA Tc 60W Tc Montaje de superficie TO-252AA

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IXTY08N100D2 N Canal MOSFET IC 1000 V 800mA Tc 60W Tc Montaje de superficie TO-252AA

Nombre De La Marca:	Original
Número De Modelo:	IXTY08N100D2
Cuota De Producción:	1
Precio:	negotiable
Detalles Del Embalaje:	caja de cartón
Condiciones De Pago:	TT

Información detallada

Descripción del producto

Información detallada

Lugar de origen:

El original

Nombre de la marca:

Original

Certificación:

Original

Número de modelo:

IXTY08N100D2

Tipo de FET:

N-canal

Voltagem de salida a la fuente (Vdss):

Las demás:

Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:

Se aplicarán los siguientes requisitos:

Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:

Las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles se calcularán de acuerdo con el método de cálculo d

Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:

14.6 nC @ 5 V

Vgs (máximo):

± 20 V

Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds:

325 pF @ 25 V

Característica del FET:

Modo de agotamiento

Cantidad de orden mínima:

Precio:

negotiable

Detalles de empaquetado:

caja de cartón

Tiempo de entrega:

3-4 días

Condiciones de pago:

Capacidad de la fuente:

100

Resaltar:

IXTY08N100D2

El IC MOSFET de canal N del IXTY08N100D2

El sistema de circuito integrado MOSFET de canal N TO-252AA

Descripción del producto

El tipo	Descripción
Categoría	Productos discretos de semiconductores
	Transistores
	FET, MOSFET
	FET y MOSFET individuales
El Sr.	IXYS
Serie	Agotamiento
Paquete	El tubo
Estado del producto	Actividad
Tipo de FET	N-canal
Tecnología	MOSFET (óxido metálico)
Voltagem de desagüe a la fuente (Vdss)	Las demás:
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C	Se aplicarán los siguientes requisitos:
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido)	-
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs	Las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles se calcularán de acuerdo con el método de cálculo de las emisiones.
Vgs(th) (máximo) @ Id	-
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs	14.6 nC @ 5 V
Vgs (máximo)	± 20 V
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds	325 pF @ 25 V
Característica del FET	Modo de agotamiento
Disposición de energía (máximo)	60 W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje	Montura de la superficie
Paquete de dispositivos del proveedor	TO-252AA
Envase / estuche	TO-252-3, DPAK (2 Pistas + Tab), SC-63
Número del producto de base	Se trata de la serie IXTY08.

Atributo	Descripción
Estado de la RoHS	Conforme con la Directiva ROHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (sin límite)
Estatus de REACH	REACH No afectado
El número de personas	El EAR99
HTSUS	8541.29.0095

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herramienta automática de la atadura de cables

Herramienta del lazo de la cremallera

Máquina de nylon de la atadura de cables

herramienta del lazo de alambre

Máquina plástica del lazo

Bridas de plástico a granel

Bridas de plástico de la tira

bridas de plástico de nylon

Máquina robótica de la atadura de cables de Full Auto

Sistema automático de la atadura de cables

Carrete automático de la atadura de cables

Máquina automática de la atadura de cables

Rockwell Controllogix

Microprocesador del circuito integrado

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Herramienta del lazo de la cremallera

Máquina de nylon de la atadura de cables

herramienta del lazo de alambre

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IXTY08N100D2

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