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IXTY08N100D2 N Channel MOSFET IC 1000 V 800mA Tc 60W Tc Surface Mount TO-252AA

IXTY08N100D2 N Canal MOSFET IC 1000 V 800mA Tc 60W Tc Montaje de superficie TO-252AA

  • Alta luz

    IXTY08N100D2

    ,

    El IC MOSFET de canal N del IXTY08N100D2

    ,

    El sistema de circuito integrado MOSFET de canal N TO-252AA

  • Tipo de FET
    N-canal
  • Voltagem de salida a la fuente (Vdss)
    Las demás:
  • Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C
    Se aplicarán los siguientes requisitos:
  • Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs
    Las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles se calcularán de acuerdo con el método de cálculo d
  • Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
    14.6 nC @ 5 V
  • Vgs (máximo)
    ± 20 V
  • Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
    325 pF @ 25 V
  • Característica del FET
    Modo de agotamiento
  • Lugar de origen
    El original
  • Nombre de la marca
    Original
  • Certificación
    Original
  • Número de modelo
    IXTY08N100D2
  • Cantidad de orden mínima
    1
  • Precio
    Negotiation
  • Detalles de empaquetado
    caja de cartón
  • Tiempo de entrega
    3-4 días
  • Condiciones de pago
    TT
  • Capacidad de la fuente
    100

IXTY08N100D2 N Canal MOSFET IC 1000 V 800mA Tc 60W Tc Montaje de superficie TO-252AA

El chip de IC CSR8670C-IBBH-R RF TxRx + MCU Bluetooth Bluetooth v4.0 2.4GHz 112-VFBGA también se utiliza para el procesamiento de datos.
 
IXTY08N100D2 son deInventario de fábrica, por favor compruebe sus demandas y por favor contáctenos con el precio objetivo.
 
Especificaciones de Se aplicará el procedimiento siguiente:
 

El tipoDescripción
CategoríaProductos discretos de semiconductores
 Transistores
 FET, MOSFET
 FET y MOSFET individuales
El Sr.IXYS
SerieAgotamiento
PaqueteEl tubo
Estado del productoActividad
Tipo de FETN-canal
TecnologíaMOSFET (óxido metálico)
Voltagem de desagüe a la fuente (Vdss)Las demás:
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°CSe aplicarán los siguientes requisitos:
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido)-
Rds encendido (máximo) @ Id, VgsLas emisiones de CO2 de los combustibles fósiles se calcularán de acuerdo con el método de cálculo de las emisiones.
Vgs(th) (máximo) @ Id-
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs14.6 nC @ 5 V
Vgs (máximo)± 20 V
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds325 pF @ 25 V
Característica del FETModo de agotamiento
Disposición de energía (máximo)60 W (Tc)
Temperatura de funcionamiento-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montajeMontura de la superficie
Paquete de dispositivos del proveedorTO-252AA
Envase / estucheTO-252-3, DPAK (2 Pistas + Tab), SC-63
Número del producto de baseSe trata de la serie IXTY08.

 
Características delSe aplicará el procedimiento siguiente:
 
• Modo activado normalmente
• las condiciones de trabajoPaquetes estándar internacionales
• Las epoxias de moldeo cumplen con el criterio UL94V-0Clasificación de la inflamabilidad
 
Las aplicaciones deSe aplicará el procedimiento siguiente:
 
• Amplificadores de audio
• Circuitos de arranque
• Circuitos de protección
• Generadores de rampa
• Los reguladores actuales
• Cargas activas
 
Ventajas adicionales deSe aplicará el procedimiento siguiente:
 
• Fácil de montar
• Ahorro de espacio
• Alta densidad de energía
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación deSe aplicará el procedimiento siguiente:
 

AtributoDescripción
Estado de la RoHSConforme con la Directiva ROHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)1 (sin límite)
Estatus de REACHREACH No afectado
El número de personasEl EAR99
HTSUS8541.29.0095

 
IXTY08N100D2 N Canal MOSFET IC 1000 V 800mA Tc 60W Tc Montaje de superficie TO-252AA 0