LCMXO2-2000HC-4FTG256C Puerta de campo programable de la matriz IC 206 75776 2112 256-LBGA
| Tipo de producto | Descripción |
| Categoría | Circuitos integrados (CI) |
| Incorporado | |
| FPGA (Field Programmable Gate Array) (Arranja de puertas programable en el campo) | |
| El Sr. | Corporación de Semiconductores Rattice |
| Serie | Se trata de MachXO2 |
| Embalaje | Envases |
| Número de LAB/CLB | 264 |
| Número de elementos/células lógicas | 2112 |
| Total de bits de la RAM | 75776 |
| Número de entradas/salidas | 206 |
| Voltagem - Suministro | 2.375V ~ 3.465V |
| Tipo de montaje | Montura de la superficie |
| Temperatura de funcionamiento | 0 °C ~ 85 °C (TJ) |
| Envase / estuche | 256-LBGA |
| Paquete de dispositivos del proveedor | 256-FTBGA (17x17) |
| Número del producto de base | Se trata de un sistema de control de las emisiones de CO2 |
Características delEl número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.
• Arquitectura lógica flexible
• Seis dispositivos con 256 a 6864 LUT4 y 18 a 334 I/O
• Dispositivos de muy baja potencia
• Proceso avanzado de baja potencia de 65 nm
• Tan baja como 22 μW de potencia de espera
• E/S con diferencial de oscilación baja programable
• Modo de espera y otras opciones de ahorro de energía
• Memoria integrada y distribuida
• Hasta 240 kbits de memoria RAM de bloque integrada sysMEMTM
• Hasta 54 kbits RAM distribuida
• Lógica de control FIFO dedicada
• Memoria flash de usuario en el chip
• Hasta 256 kbits de memoria flash del usuario
• 100.000 ciclos de escritura
• Accesible mediante las interfaces WISHBONE, SPI, I2C y JTAG
• Puede utilizarse como procesador PROM o como memoria flash
• Fuente de entrada/salida sincrónica de ingeniería previa
• Registros DDR en las celdas de E/S
• Lógico de engranajes dedicado
• 7:1 Apertura para las entradas/salidas de la pantalla
• DDR genérico, DDRX2, DDRX4
• Memoria DDR/DDR2/LPDDR dedicada con soporte DQS
Descripciones deEl número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.
Los dispositivos MachXO2 están disponibles en dos versiones: dispositivos de potencia ultrabaja (ZE) y dispositivos de alto rendimiento (HC y HE).con 3 siendo el más rápidoDel mismo modo, los dispositivos de alto rendimiento se ofrecen en tres grados de velocidad: ¥4, ¥5 y ¥6, siendo ¥6 el más rápido.
Clasificaciones medioambientales y de exportación deEl número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.
| Atributo | Descripción |
| Estado de la RoHS | Conforme con la Directiva ROHS3 |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 horas) |
| Estatus de REACH | REACH No afectado |
| El número de personas | 3A991D. |
| HTSUS | 8542.39.0001 |
Nuestros productos se venden en todo el mundo, puede estar seguro de todo el proceso de nuestros productos.
